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SiO2钝化膜对i-GaN肖特基探测器性能的影响
在采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的非故意掺杂的i-GaN材料上制备了平面结构肖特基探测器;利用磁控溅射在探测器的两个电极隔离......
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SiO2钝化膜
i-GaN
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SiO2 passivation layer
i-GaN
Schottky photodetectors
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